该半导体制造厂主要生产8英寸晶圆，生产过程中产生多种高浓度电子废水，具有成分复杂、毒性大、难降解等特点。原有处理系统对氟化物和有机污染物去除效果不佳，需进行技术改造。

废水成分及来源

芯片刻蚀废水：含高浓度氟化物(200-800mg/L)、磷酸盐

CMP研磨废水：含纳米级硅粉、铜粉及有机研磨剂

光刻胶废水：含光刻胶残余物、显影液等高浓度有机污染物(COD可达10000mg/L以上)

清洗废水：含异丙醇、丙酮等有机溶剂

处理工艺流程

采用"分质处理+高级氧化+生物强化"的创新工艺路线：

分质处理系统

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氟化物废水：采用两级化学沉淀法，先投加氯化钙形成氟化钙沉淀，再通过铝盐混凝强化去除

CMP废水：混凝沉淀+陶瓷膜过滤组合工艺去除纳米颗粒

高浓度有机废水：单独收集后进行高级氧化预处理

高级氧化单元

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臭氧催化氧化：采用专用催化剂，提高臭氧利用率

电化学氧化：针对难降解有机物进行深度处理

生物处理系统

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复合式厌氧反应器：高效降解大分子有机物

好氧移动床生物膜反应器(MBBR)：抗冲击负荷能力强

生物活性炭滤池：进一步去除微量污染物

深度净化单元

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超滤+反渗透双膜系统：确保出水满足高纯水回用要求

离子交换系统：去除残余离子

最终效果

系统稳定运行后，各项指标优于设计标准：

氟化物<5mg/L(去除率>99%)

COD<30mg/L(去除率>99.5%)

总铜<0.1mg/L

出水电阻率>15MΩ·cm(满足生产工艺回用要求)

项目实现了75%的废水回用率，年减少废水排放量约20万吨，高级氧化单元的能耗比传统工艺降低30%，运行成本显著下降。