电子元器件制造废水具有成分复杂、毒性高、难降解的特点,主要含重金属离子、高浓度有机物及酸碱物质,处理不当易造成水体污染和生态风险。其水质波动大,需分质分类处理以实现稳定达标。
主要来源
蚀刻与电镀:酸性/碱性蚀刻液、电镀槽液废水,含铜(Cu²⁺)、镍(Ni²⁺)、氰化物(CN⁻)等。
清洗工序:PCB板、芯片清洗产生的异丙醇、丙酮等有机溶剂残留及微量氟化物(F⁻)。
显影与去胶:光刻胶显影液、去胶剂废水,含四甲基氢氧化铵(TMAH)、光引发剂及高COD物质。
废气处理废水:喷淋塔循环液,含吸收的VOCs、酸性气体(如HF、HCl)及颗粒物。
典型污染物成分
重金属:铜(50~500mg/L)、镍(10~200mg/L)、锡(5~50mg/L)。
有机物:COD 500~5,000mg/L(主要来自显影液、清洗剂)。
特殊毒害物:氰化物(1~20mg/L)、氟化物(10~100mg/L)、TMAH(50~300mg/L)。
酸碱度:pH 1~12(蚀刻液、电镀液等高酸碱废水)。
背景与痛点
该厂年产多层PCB板30万㎡,蚀刻工序排放废水含铜离子(峰值800mg/L)、COD 1,200mg/L及微量氨氮,原“化学沉淀+砂滤”工艺铜去除率仅85%,且污泥量过大(月均20吨),面临环保限产风险。
处理工艺升级
铜污泥经压滤脱水(含水率<60%)后外售冶炼厂,年收益约50万元。
离子交换树脂:螯合树脂选择性吸附残余铜离子(<0.1mg/L),树脂再生液回用于电镀槽。
膜生物反应器(MBR):处理综合废水,COD降至50mg/L以下,污泥减量60%。
络合铜废水单独收集:投加破络剂(硫化钠+硫酸亚铁),破除EDTA-Cu络合物,铜离子释放率>95%。
化学沉淀优化:采用两级沉淀(pH=9.5→11),氢氧化铜沉淀效率提升至99.5%,出水铜<0.5mg/L。
分质预处理:
深度处理:
资源化:
成效
铜去除率>99.9%,COD稳定<80mg/L,污泥量减少至8吨/月,通过《电镀污染物排放标准》(GB 21900-2008),获省级“资源循环利用示范项目”称号。
背景与痛点
该厂主营芯片封装,研磨废水含氟离子(F⁻ 200mg/L)、硅粉(SS 500mg/L)及少量TMAH(50mg/L),原“钙盐沉淀+活性炭吸附”工艺氟残留超标(8~10mg/L),且回用率不足30%。
处理方案
专性菌剂生物处理:厌氧-好氧耦合工艺降解TMAH至<5mg/L。
超滤(UF)+反渗透(RO):
超滤去除硅粉及大分子有机物(SS<1mg/L)。
反渗透脱盐率>98%,产水回用于生产线(回用率75%)。
两级化学沉淀:
骨炭吸附:改性骨炭柱吸附残余氟,出水氟<0.8mg/L(达标GB 8978-1996)。
一级投加氯化钙(CaCl₂)+ PAC,pH=6.5,氟降至15mg/L。
二级投加聚合硫酸铁(PFS)+ 铝盐,pH=7.2,氟<1.5mg/L。
高效除氟:
膜法回用:
TMAH降解:
成效
氟化物达标排放,年节水12万吨,回用水成本降至1.2元/吨,获“国家工业节水标杆企业”认证,年节省水费及排污费超300万元。
分质分流:按废水特性(如重金属、氟化物、有机负荷)分类收集,避免交叉污染。
组合工艺:化学沉淀+吸附+膜分离协同处理,兼顾达标与资源化。
智慧运维:物联网(IoT)实时监测pH、重金属浓度,动态加药优化运行参数。
电子元器件废水治理需遵循“源头减量-高效净化-闭环回用”策略,结合行业特性选择经济高效的解决方案,实现环境效益与经济效益双赢。
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